Transistor NPN, SMD SOT-23, LOW NOISE.

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Términos y condiciones
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Características Generales

Transistor NPN de montaje superficial
Encapsulado SOT-23
Baja distorsión y bajo ruido
Aplicaciones en etapas de preamplificación
Frecuencia de transición: 100 MHz
Ganancia de corriente (hFE): 300 a 800
Tensión colector-emisor (VCEO): 30V
Corriente colector (IC): 100mA
Temperatura de operación: -55°C a +150°C

Especificaciones Eléctricas

Tensión Colector-Emisor (VCEO): 30V
Tensión Base-Emisor (VBEO): 5V
Corriente Colector (IC): 100mA
Corriente Base (IB): 50mA
Potencia Disipación (PD): 300mW
Frecuencia de Transición (fT): 100MHz
Ganancia de Corriente (hFE): 300-800

Especificaciones Físicas

Encapsulado: SOT-23
Material de Terminales: Estaño
Resistencia Térmica (Junction-Ambient): 417°C/W
Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C
Temperatura de Operación: -55°C a +150°C

Aplicaciones

Preamplificadores de audio
Amplificadores de bajo ruido
Circuitos de conmutación
Etapa de entrada en amplificadores operacionales

Información Adicional

Equivalente: 2N3904, BC547
Marca:
Modelo: MMBR951
Tipo: Transistor NPN
Montaje: Superficial (SMD)
Encapsulado: SOT-23
Característica: Bajo ruido