Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.

Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.

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Términos y condiciones
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Características Principales

Transistor de silicio NPN de alta frecuencia
Rango de frecuencias: 30-500 MHz
Tensión de colector-emisor hasta 28 Vcc
Ganancia de 10 dB para amplificación eficaz
Potencia máxima de salida: 125 Watt

Máximos Permisibles

VCEO: 30 Vdc
VCBO: 60 Vdc
VEBO: 4.0 Vdc
IC: 16 Adc
PD: 270 Watts (a TC = 25°C)
Derate: 1.54 W/°C
Tstg: -65 a +150 °C
TJ: 200 °C

Características Térmicas

RθJC: 0.65 °C/W

Características Eléctricas

hFE: 40-100 (a IC = 1.0 Adc)
Cob: 75-95 pF

Características de Operación

Ganancia: 8-10 dB
Eficiencia: 50-55%
VSWR: 30:1 sin degradación
Impedancia: 20 Ω

Configuración

Dos transistores en un solo encapsulado
Configuración push-pull
Emisores comunes
Redes de adaptación de impedancia integradas
Metabolización de oro para alta confiabilidad

Frecuencias de Operación

Frecuencia de prueba: 400 MHz
Rango de frecuencia: 30-500 MHz
Reducción de potencia: 10 W a 14 W
Tensión de prueba: 28 Vdc

Aplicaciones

Amplificadores de señal RF
Sistemas de comunicación de banda ancha
Equipos de prueba y medición RF
Sistemas de radiodifusión
Amplificadores lineales de alta potencia

Especificaciones de Prueba

Prueba de potencia: 125 W a 400 MHz
Prueba de eficiencia: 55% típico
Prueba de adaptación: VSWR 30:1
Prueba de impedancia: 20 Ω

Impedancia Óptima

100 MHz: 0.72 + j0.44 Ω
225 MHz: 0.72 + j2.62 Ω
400 MHz: 3.88 + j5.72 Ω
450 MHz: 3.84 + j2.8 Ω
500 MHz: 1.26 + j3.01 Ω

Dimensiones

A: 22.60-23.11 mm
B: 9.52-10.03 mm
C: 6.65-7.16 mm
D: 1.60-1.95 mm
E: 2.94-3.40 mm